廣東可易亞半導體科技有限公司

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                            10n60 9.5A/600V場效應管參數PDF中文資料-半導體原廠-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2018-10-11 

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                            10n60場效應管參數
                            場效應管10n60產品特征-KIA10N60H

                            可易亞設計了KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速度的功率開關應用,如高效率的開關電源。電源,有源功率因數校正,電子鎮流器基于半橋式,以消光。

                            1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

                            2、低門電荷(典型的44nC)

                            3、快速交換能力

                            4、雪崩能量指定值

                            5、改進的dv/dt能力

                            10n60場效應管參數-KIA10N60H

                            產品型號:KIA10N60H

                            工作方式:9.5A/600V

                            漏源極電壓:600V

                            柵源電壓:±30V

                            漏電流脈沖:38.0*A

                            結溫:+150℃

                            貯存溫度:-55℃至150℃

                            KIA10N60H標準封裝

                            10n60場效應管參數 9.5A/600V

                            KIA10N60H電路圖

                            10n60場效應管參數 9.5A/600V

                            10n60場效應管參數 9.5A/600V

                            KIA10N60H產品附件

                            以下為KIA10N60H產品PDF格式的產品詳細資料,查看詳情請點擊下圖。

                            10n60場效應管參數 9.5A/600V



                            聯系方式:鄒先生

                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

                            QQ:2880195519

                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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