廣東可易亞半導體科技有限公司

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                            MOS管KIA3510A替代IRF540N-KIA3510A中文資料 原廠免費送樣-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2018-11-13 

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                            MOS管KIA3510A主要參數

                            型號:KIA3510A

                            電流:75A

                            電壓:100V

                            漏源極電壓:100V

                            柵源電壓:±25V

                            最高結溫:175℃

                            貯存溫度范圍:-55℃至+175℃

                            脈沖漏電流:219A

                            雪崩電流:30A

                            雪崩能源:225MJ

                            MOS管KIA3510A替代IRF540N

                            電流:27A

                            電壓:100V

                            封裝:TO-220

                            MOS管KIA3510A封裝及引腳圖

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                            MOS管KIA3510A產品的主要特征

                            KIA半導體專注品質追求10幾年,一直力爭在質量上做到精益求精。

                            RDS(on)=9m? (Typ)@VGS =10V

                            100%雪崩試驗

                            可靠和堅固

                            無鉛綠色設備(符合RoHS標準)

                            MOS管KIA3510A產品附件

                            以下為KIA3510A產品PDF格式的詳細資料,查看詳情請點擊下圖。如有需要請聯系我們,KIA半導體將會竭誠為您服務!



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                            手機:18123972950

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