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                            電動車控制器75N75型號參數及封裝-MOS在電動車控制器中的應用-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2018-12-04 

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                            電動車控制器參數型號資料

                            KIA75NF75產品描述

                            75NF75是N溝道增強型功率場狀態特性穩定、快速的效應晶體管開關速度,低熱阻,常用于電信和計算機應用。


                            KIA75NF75產品特征

                            RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V

                            超低柵電荷(典型的90納米)

                            快速交換能力

                            指定雪崩能量

                            改進的dv/dt能力,堅固性高


                            KIA75NF75參數范圍

                            產品型號:KIA75NF75

                            工作方式:80A/80V

                            漏源電壓:80V

                            柵源電壓:±25V

                            連續漏電流:80A/70A

                            脈沖漏電流:340A

                            雪崩電流:20A

                            雪崩能源:410MJ

                            最大功耗:240W/100W


                            KIA75NF75封裝圖

                            電動車控制器,75NF75


                            KIA75NF75產品附件詳情

                            查看詳情,請點擊下圖。

                            電動車控制器,75NF75


                            MOS在控制器電路中的工作狀態

                            開通過程、導通狀態、關斷過程、截止狀態、擊穿狀態。  

                            MOS主要損耗包括開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。電動車控制器場效應管只要把這些損耗控制在MOS承受規格之內,MOS即會正常工作,超出承受范圍,即發生損壞。

                            而開關損耗往往大于導通狀態損耗,尤其是PWM沒完全打開,處于脈寬調制狀態時(對應電動車的起步加速狀態),而最高急速狀態往往是導通損耗為主。


                            MOS管在電動車控制器中的作用

                            電動車控制器場效應管簡單來說電機是靠MOS的輸出電流來驅動的,輸出電流越大(為了防止過流燒壞MOS管,控制器有限流保護),電機扭矩就強,加速就有力。


                            MOS在電動車控制器中的應用

                            我們電動車控制器場效應管和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。小功率mos是平面型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。平面型結構是指,mos柵極,源級和漏級都在芯片表面(或者說正面),而溝道也在芯片表面橫向排列。(我們常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平面結構介紹)。而功率mos的立體結構(溝道是深槽立體結構)是柵極和源級引線從芯片正面引出(其實柵極也不在表面而是內部,只是比較靠近表面),而漏級是從芯片背面引出(其實整個芯片背面都是漏級連接在一起的,整個個漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上,就是mos的金屬背板,一般是銅鍍錫的),所以我們見到的mos一般金屬板和中間引腳(就是漏級)是完全導通的(有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的)。


                            功率mos內部從漏級到源級是有一個二極管的,這個二極管基本上所有的功率mos都具有,和它本身結構有關系(不需要單獨制造,設計本身就有)。當然可以通過改變設計制造工藝,不造出這個二極管。但是這會影響芯片功率密度,要做到同樣耐壓和內阻,需要更大的芯片面積(因為結構不同)。大家只是知道這回事就行了。


                            我們所見的電動車控制器場效應管,其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成(實際數量一般是上千萬個,和芯片面積和工藝有關)。如果在工作中,有一個或幾個小管短路,則整個mos表現為短路,當然大電流短路mos可能直接燒斷了(有時表現為金屬板和黑色塑封間開裂),又表現為開路。大家可能會想這上千萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧,其實真沒那么容易,目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。


                            它們的各種開關動作幾乎完全一致,當然最終燒壞時,肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩定性和制造工藝密不可分,差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。有時一點小的工藝缺陷(比如一個1um甚至更小的顆粒如果在關鍵位置)往往會造成整個芯片(缺陷所在的管芯)報廢。


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