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                            2N65H 2.0A/650V MOS管中文資料及封裝-原廠直銷 免費送樣-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2018-12-24 

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                            MOS管 2N65H產品描述

                            此功率MOSFET是采用KIA先進的平面條紋DMOS工藝生產的。這先進的技術已經專門針對最小化通態電阻,提供了優越的開關性能好,在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖。這些適用于高效率開關電源,有功功率因數校正基于半橋拓撲。

                            MOS管2N65H特征

                            RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V

                            低門電荷(典型的6.5nC)

                            高韌性

                            快速切換

                            100%雪崩試驗

                            改進的dv/dt能力

                            MOS管2N65H產品封裝引腳圖

                            MOS管,2N65H,2.0A/650V/

                            MOS管2N65H產品主要參數

                            型號:KIA2N65H

                            電流:2.0A

                            電壓:650V

                            漏源極電壓:650V

                            漏電流脈沖:7.5A

                            柵源電壓:±30V

                            單脈沖雪崩能:100MJ

                            重復雪崩能:4.2MJ

                            峰值二極管恢復:4.5V/ns

                            MOS管2N65H電路特征

                            MOS管,2N65H,2.0A/650V

                            MOS管,2N65H,2.0A/650V

                            MOS管2N65H規格書

                            查看詳情,請點擊下圖。

                            MOS管,2N65H,2.0A/650V



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