廣東可易亞半導體科技有限公司

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                            高耐壓場效應管參數型號大全-高耐壓場效應管原廠推薦 耐壓性強-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2018-12-29 

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                            高耐壓場效應管廠家

                            高耐壓場效應管廠家介紹,深圳市可易亞半導體科技有限公司主營半導體產品豐富,是一家國產MOS管廠家。專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、超結場效應管、碳化硅二極管、碳化硅場效應管、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計,集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企業。

                            高耐壓場效應管


                            強大的研發平臺,使得KIA在工藝制造、產品設計方面擁有知識產權35項,并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發已經成為了企業的核心競爭力。


                            高耐壓場效應管


                            KIA半導體的產品涵蓋工業、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域,不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產品的精細化與革新,力求為客戶提供最具行業領先、品質上乘的科技產品。


                            高耐壓場效應管


                            公司成立初期就明確立足本市場,研發為先導,了解客戶需求,運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術,結合中國市場的特點,向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品,產品的穩定性,高性價比,良好的服務,以及和客戶充分的技術,市場溝通的嚴謹態度.在移動數碼,LCE,HID,LED,電動車,開關電源,逆變器,節能燈等領域深得客戶認可。


                            高耐壓場效應管封裝

                            高耐壓場效應管

                            高耐壓場效應管


                            高耐壓場效應管參數型號

                            高耐壓場效應管

                            注:這里列出了部分型號,需了解更多,請聯系我們!



                            高耐壓場效應管工作原理

                            場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。


                            在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。


                            1、MOS場效應管電源開關電路

                            MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場)控制,可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時這也是我們稱之為場效應管的原因。

                            在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負極)時,二極管導通,其PN結有電流通過。


                            這是因為在P型半導體端為正電壓時,N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端,而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動,從而形成導通電流。同理,當二極管加上反向電壓(P端接負極,N端接正極)時,這時在P型半導體端為負電壓,正電子被聚集在P型半導體端,負電子則聚集在N型半導體端,電子不移動,其PN結沒有電流通過,二極管截止。在柵極沒有電壓時,由前面分析可知,在源極與漏極之間不會有電流流過,此時場效應管處與截止狀態。


                            當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時,由于電場的作用,此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極,但由于氧化膜的阻擋,使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中,從而形成電流,使源極和漏極之間導通??梢韵胂駷閮蓚€N型半導體之間為一條溝,柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁,該橋的大小由柵壓的大小決定。


                            2、C-MOS場效應管(增強型MOS場效應管)

                            電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時,P溝道MOS場效應管導通,輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時,N溝道MOS場效應管導通,輸出端與電源地接通。在該電路中,P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態下工作,其相位輸入端和輸出端相反。


                            通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響,使得柵壓在還沒有到0V,通常在柵極電壓小于1到2V時,MOS場效應管既被關斷。不同場效應管其關斷電壓略有不同。也正因為如此,使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。


                            場效應管的作用詳解

                            1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。


                            2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。


                            3.場效應管可以用作可變電阻。


                            4.場效應管可以方便地用作恒流源。


                            5.場效應管可以用作電子開關。


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