廣東可易亞半導體科技有限公司

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                            高壓MOS管 9N90 9A/900V PDF資料及封裝-MOS管原廠 免費送樣-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2019-01-07 

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                            高壓MOS管9N90產品介紹

                            此功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS工藝生產。這先進的技術已特別定制,以盡量減少通態電阻,提供卓越的開關性能好,可承受雪崩和換相模式下的高能脈沖適用于高效率開關電源,有功功率因數校正基于半橋拓撲。


                            高壓MOS管9N90參數詳情

                            型號:KIA9N90S/KIA9N90H

                            工作方式:9A/900V

                            漏源極電壓:900V

                            排水電流:36A

                            柵源電壓:±30V

                            單脈沖雪崩能:900MJ

                            雪崩電流:9.0A

                            重復雪崩能:28MJ

                            峰值二極管恢復:4.0V/ns

                            運行和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃


                            高壓MOS管9N90產品特征

                            9A,900V

                            RDS(on)=1.12ωVGS=10V

                            低門電荷(典型的70納米)

                            低Crss(典型的14Pf)

                            快速切換

                            100%雪崩試驗

                            改進的數字視頻傳輸能力


                            高壓MOS管9N90封裝及引腳圖

                            1、KIA9N90S

                            高壓MOS管,9N90,9A/900V


                            2、KIA9N90H

                            高壓MOS管,9N90,9A/900V


                            高壓MOS管9N90附件

                            查看詳細資料,請點擊下圖。

                            1、KIA9N90S

                            高壓MOS管,9N90,9A/900V


                            2、KIA9N90H

                            高壓MOS管,9N90,9A/900V


                            KIA封裝工藝

                            高壓MOS管,9N90,9A/900V



                            聯系方式:鄒先生

                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

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                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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