廣東可易亞半導體科技有限公司

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                            低壓MOS管 50N06B 50A/60V規格書-內阻低 雪崩沖擊小 免費送樣-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2019-01-24 

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                            低壓MOS管 50N06B 50A/60V

                            低壓MOS管50N06B產品特點

                            1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

                            2、無鉛綠色裝置

                            3、降低導電損耗

                            4、高雪崩電流


                            低壓MOS管50N06B主要參數

                            產品型號:KIA50N06B

                            工作方式:50A/60V

                            漏源極電壓:60V

                            柵源電壓:±25

                            脈沖漏電流:250A

                            雪崩電流:15A

                            雪崩能量:120MJ

                            最大功耗:88W/44W


                            低壓MOS管50N06B應用領域

                            1、電力供應

                            2、UPS

                            3、電池管理系統


                            低壓MOS管50N06B封裝及引腳圖

                            低壓MOS管,50N06B,50A/60V


                            低壓MOS管50N06B產品規格書

                            查看詳情,請點擊下圖

                            低壓MOS管,50N06B,50A/60V



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                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

                            QQ:2880195519

                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


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