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                            mos管與門電路圖詳解及概述-CMOS邏輯門電路原理圖分析-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2019-04-03 

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                            mos管與門電路圖

                            mos管

                            mos管與門電路圖,mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。


                            MOS管又分為兩種類型:N型和P型。如下圖所示:



                            mos管與門電路圖


                            以N型管為例,2端為控制端,稱為“柵極”;3端通常接地,稱為“源極”;源極電壓記作Vss,1端接正電壓,稱為“漏極”,漏極電壓記作VDD。要使1端與3端導通,柵極2上要加高電平。


                            對P型管,柵極、源極、漏極分別為5端、4端、6端。要使4端與6端導通,柵極5要加低電平。


                            在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機中,N型管與P型管往往是成對出現的。同時出現的這兩個CMOS管,任何時候,只要一只導通,另一只則不導通(即“截止”或“關斷”),所以稱為“互補型CMOS管”。


                            mos管與門電路圖及工作原理詳解


                            mos管與門電路圖


                            mos管與門電路圖-與門概述

                            與門,又稱“與電路”、邏輯“積”、邏輯“與”電路。是執行“與”運算的基本邏輯門電路。有多個輸入端,一個輸出端。當所有的輸入同時為高電平(邏輯1)時,輸出才為高電平,否則輸出為低電平(邏輯0)。


                            mos管與門電路圖-與門邏輯符號

                            與門有3種邏輯符號,包括:形狀特征型符號(ANSI/IEEEStd 91-1984)、IEC矩形國標符號(IEC 60617-12)、DIN符號(DIN 40700)。


                            mos管與門電路圖

                            ANSI/IEEE Std 91-1984


                            mos管與門電路圖

                            IEC 60617-12(國標符號)


                            mos管與門電路圖

                            DIN 40700


                            mos管與門電路圖-CMOS邏輯門電路原理圖

                            1、高速CMOS電路的電源電壓VDD通常為+5V;Vss接地,是0V。

                            高電平視為邏輯“1”,電平值的范圍為:VDD的65%~VDD(或者VDD-1.5V~VDD)。低電平視作邏輯“0”,要求不超過VDD的35%或0~1.5V。+1.5V~+3.5V應看作不確定電平。在硬件設計中要避免出現不確定電平。


                            近年來,隨著亞微米技術的發展,單片機的電源呈下降趨勢。低電源電壓有助于降低功耗。VDD為3.3V的CMOS器件已大量使用。在便攜式應用中,VDD為2.7V,甚至1.8V的單片機也已經出現。將來電源電壓還會繼續下降,降到0.9V,但低于VDD的35%的電平視為邏輯“0”,高于VDD的65%的電平視為邏輯“1”的規律仍然是適用的。


                            2、非門


                            mos管與門電路圖

                            非門(反向器)是最簡單的門電路,由一對CMOS管組成。其工作原理如下:

                            A端為高電平時,P型管截止,N型管導通,輸出端C的電平與Vss保持一致,輸出低電平;A端為低電平時,P型管導通,N型管截止,輸出端C的電平與VDD一致,輸出高電平。


                            3、與非門


                            mos管與門電路圖


                            與非門工作原理:

                            ①、A、B輸入均為低電平時,1、2管導通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。


                            ②、A輸入高電平,B輸入低電平時,1、3管導通,2、4管截止,C端電位與1管的漏極保持一致,輸出高電平。


                            ③、A輸入低電平,B輸入高電平時,情況與②類似,亦輸出高電平。


                            ④、A、B輸入均為高電平時,1、2管截止,3、4管導通,C端電壓與地一致,輸出低電平。


                            4、或非門


                            mos管與門電路圖


                            或非門工作原理:

                            ①、A、B輸入均為低電平時,1、2管導通,3、4管截止,C端電壓與VDD一致,輸出高電平。


                            ②、A輸入高電平,B輸入低電平時,1、4管導通,2、3管截止,C端輸出低電平。


                            ③、A輸入低電平,B輸入高電平時,情況與②類似,亦輸出低電平。


                            ④、A、B輸入均為高電平時,1、2管截止,3、4管導通,C端電壓與地一致,輸出低電平。


                            注:

                            將上述“與非”門、“或非”門邏輯符號的輸出端的小圓圈去掉,就成了“與”門、“或”門的邏輯符號。而實現“與”、“或”功能的電路圖則必須在輸出端加上一個反向器,即加上一對CMOS管,因此,“與”門實際上比“與非”門復雜,延遲時間也長些,這一點在電路設計中要注意。


                            5、三態門


                            mos管與門電路圖


                            三態門的工作原理:

                            當控制端C為“1”時,N型管3導通,同時,C端電平通過反向器后成為低電平,使P型管4導通,輸入端A的電平狀況可以通過3、4管到達輸出端B。

                            當控制端C為“0”時,3、4管都截止,輸入端A的電平狀況無法到達輸出端B,輸出端B呈現高電阻的狀態,稱為“高阻態”。這個器件也稱作“帶控制端的傳輸門”。帶有一定驅動能力的三態門也稱作“緩沖器”,邏輯符號是一樣的。


                            6、組合邏輯電路

                            “與非”門、“或非”門等邏輯電路的不同組合可以得到各種組合邏輯電路,如譯碼器、解碼器、多路開關等。

                            組合邏輯電路的實現可以使用現成的集成電路,也可以使用可編程邏輯器件,如PAL、GAL等實現。


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