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                            如何估算MOS管電壓驅動

                            信息來源:本站 日期:2017-04-28 

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                            Crss:反Ig:MOS柵極驅動電流;Vb:穩態柵極驅動電壓;

                            Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;

                            效應時刻(開關時刻)Ton/off=Qgd/Ig;

                            第1種:(第1種的變形)

                            Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)

                            Tr:上升時刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時刻

                            td(on):MOS導通延遲時刻,從有駛入電壓上升到10%開始到VDS下降到其幅值90%的時刻。

                            Ton=t3-t0≈td(on)+tr

                            其間:

                            Ig=Qg/Ton

                            能夠運用如下公式估算:

                            第2種:

                            假設兩種Vod都大于零,闡明晶體管溝道全開,也即是處于線性區。只要一種Vod大于零,闡明晶體管溝道半開(在DS恣意一端沒打開有夾斷),也即是處于飽滿區。

                            Vod2=Vds-Vth;

                            Vod1=Vgs-Vth;

                            3)假設能夠愈加深化了解的話,能夠領會到過驅動電壓不單單合用于指代Vgs,也合用于指代Vgd。即

                            2)溝道電荷多少直接與過驅動電壓二次方成正比。也即是說,能夠運用過驅動電壓來核算飽滿區的電流。

                            1)只要在你的過驅動電壓“大于零”的情況下,溝道才會構成,MOS管才會作業。也即是說,能夠運用過驅動電壓來斷定晶體管是不是導通。

                            MOS驅動電壓Vod=Vgs-Vth。能夠了解為:超過驅動門限(Vth)的剩余電壓巨細。

                            聯系方式:鄒先生

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