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                            什么是N溝道MOS管場效應管

                            信息來源:本站 日期:2017-04-29 

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                            N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子),故在UCs=0時,這些正離子產生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的.

                            N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強型MOS管的結構基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻人負離子),故在UCs=0時,這些正離子產生的電場作用下,漏極一源極間的P型襯底表面也能感應天生N溝道(稱為初始溝道),只要加上正向電壓UDS,就有電流。假如加上正的UCs,柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,溝道加寬,溝道電阻變小。增大。反之UCs為負時,溝道中感應的電子減少,溝道變窄,溝道電阻變大。減少。當UCS負向增加到某一數值時,導電溝道消失。趨于零,管子截止,故稱為耗盡型。

                            N溝道耗盡型MOSFET的結構與增強型MOSFET結構類似,只有一點不同,就是N溝道耗盡型MOSFET在柵極電壓uGS=0時,溝道已經存在。該N溝道是在制造過程中應用離子注入法預先在襯底的表面,在D、S之間制造的,稱之為初始溝道。N溝道耗盡型MOSFET的結構和符號如圖1.(a)所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS=0時,這些正離子已經感應出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當VGS>0時,將使ID進一步增加。VGS<0時,跟著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應ID=0的VGS稱為夾斷電壓,用符號VGS(off)表示,有時也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉移特性.

                            耗盡型MOS場效應管,是在制造過程中,預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子,因此,在UGS=0時,這些正離子產生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子,形成N型導電溝道。

                            當UDS>0時,將產生較大的漏極電流ID。假如使UGS<0,則它將削弱正離子所形成的電場,使N溝道變窄,從而使ID減小。當UGS更負,達到某一數值時溝道消失,ID=0。使ID=0的UGS我們也稱為夾斷電壓,仍用UP表示。UGS

                            據導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指,當VGS=0時即形成溝道,加上準確的VGS時,能使多數載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉向截止。


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