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                            MOS場效晶體管-功率場效晶體管結構與工作原理-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2017-05-16 

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                            功率場效應晶體管(P-MOSFET)簡稱功率MOSFET,是使用大都載流子導電的半導體器材,且導通時只要一種極性的載流子參加導電,是單極型晶體管。與使用少數載流子導電的雙極型功率晶體管比較,功率 MOSFET 只靠單一載流子導電 ,不存在存儲效應 ,因而其關斷進程十分敏捷 ,其開關時間在 10 - 100ns 之間 ,作業頻率可達 100kHz以上,最高能夠到達500kHz。功卒MOSFET、開關速度快,作業頻率高,能夠使高頻率開關電源在設計時體積更小、質量更輕,習慣開關電源小型化、高效率化和高可靠性的開展請求 。


                            功率 MOSFET 按導電溝道分為N 溝道和IP 溝道兩種 ,N溝迫的載梳子為空穴 ,P 溝道的載流子為電子 。其電氣符號如圖 5-16 所示 ,圖中的MOS管三個極分別為 柵極 G、漏極 D、源極 S。


                            常用的功率 MOSFET  主要是 N 溝道增強型 。與通常小功率 MOSFET 的橫向導電構造不間 ,功率 MOSFET 大多選用筆直導電構造 ,然后提高了耐壓和耐電流才能 ,因而它又名VMOSFET。功率 MOSFET 是電壓控制型器材 ,在它的柵極和源極間加一個 圖5-16 功率 MOSFET 的 受控的電壓 ,在漏極可獲得較大的電流 。功率 MOSFET 的柵極與源 極在電氣上是靠硅氧化層彼此阻隔的 ,具有很高的輸入阻抗 ,因而其驅動電流很小 ,為 100nA 數量級 ,而輸山電流可達數安培至十幾安培 。功率 MOSFET 所需的驅動功率很小,因 此其對驅動電路的請求較低。功率 MOSFET 靜態時簡直不需輸入電流 ,但在開關過科中簾對輸 入電容充 、放電,因而它仍需定的驅動功率,且開關頻率越高 ,所需求的驅動功率越大 。


                            由于功率 MOSFET 具有正的溫度系數,所以當有限個管子直接并聯時 ,能夠自動均衡 電流,不會發生過熱點 ,熱穩定性好。


                            功率 MOSF'ET 具有驅動功率小 、作業頻率高 、安全作業以寬 、元二次擊穿等特點 。功 率 MOSFET 的導通壓陣稍大 ,電流容量小,耐壓低 ( 小于 1儀>OV ) ,通常只適用于中小功率開關管電源,在中低斥、小電流、高頻率范疇占用優勢?,F在,功率 MOSFET 的容量水平為 50A/500 V ,作業頻率為 100kHz。


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