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                            三極管和MOS管驅動電路的正確用法詳解-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2020-03-20 

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                            三極管和MOS管驅動電路的正確用法詳解

                            1、三極管和MOS管的基本特性

                            三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管(簡稱P型三極管)和PNP型三極管(簡稱N型三極管)兩種,符號如下:


                            MOS管,三極管


                            MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管(簡稱PMOS)和N溝道MOS管(簡稱NMOS),符號如下(此處只討論常用的增強型MOS管):


                            MOS管,三極管


                            2、三極管和MOS管的正確應用

                            (1)P型三極管,適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓(此處為GND)0.7V,P型三極管即可開始導通。


                            基極用高電平驅動P型三極管導通(低電平時不導通);基極除限流電阻外,更優的設計是,接下拉電阻10-20k到GND,使基極控制電平由高變低時,基極能夠更快被拉低,P型三極管能夠更快更可靠地截止。


                            (2)N型三極管,適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低于射極電壓(此處為VCC)0.7V,N型三極管即可開始導通。


                            基極用低電平驅動N型三極管導通(高電平時不導通);基極除限流電阻外,更優的設計是,接上拉電阻10-20k到VCC,使基極控制電平由低變高時,基極能夠更快被拉高,N型三極管能夠更快更可靠地截止。


                            MOS管,三極管


                            所以,如上所述:


                            對NPN三極管來說,最優的設計是,負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設計是,負載R12接在射極和GND之間。


                            對PNP三極管來說,最優的設計是,負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設計是,負載R14接在集電極和VCC之間。


                            這樣,就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。


                            (3)PMOS,適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低于源極電壓(此處為VCC)超過Vth(即Vgs超過-Vth),PMOS即可開始導通。


                            柵極用低電平驅動PMOS導通(高電平時不導通);柵極除限流電阻外,更優的設計是,接上拉電阻10-20k到VCC,使柵極控制電平由低變高時,柵極能夠更快被拉高,PMOS能夠更快更可靠地截止。


                            (4)NMOS,適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高于源極電壓(此處為GND)超過Vth(即Vgs超過Vth),NMOS即可開始導通。


                            柵極用高電平驅動NMOS導通(低電平時不導通);柵極除限流電阻外,更優的設計是,接下拉電阻10-20k到GND,使柵極控制電平由高變低時,柵極能夠更快被拉低,NMOS能夠更快更可靠地截止。


                            MOS管,三極管


                            所以,如上所述:


                            對PMOS來說,最優的設計是,負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設計是,負載R16接在源極和VCC之間。


                            對NMOS來說,最優的設計是,負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設計是,負載R18接在源極和GND之間。


                            3、設計原則

                            為避免負載的變化被耦合到控制端(基極Ib或柵極Vgs)的精密邏輯器件(如MCU)中,負載應接在集電極或漏極。


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