廣東可易亞半導體科技有限公司

                            國家高新企業

                            cn en

                            新聞中心

                            MOS管半導體器件

                            信息來源:本站 日期:2017-05-23 

                            分享到:

                            MOS二極管在半導體器件
                            在物理中占有極其重要的地位,因為它是研究半導體表面特性最有用的器件之一.在實際應用中.它是先進集成電路中最重要的MOSFFT器件的樞紐.在集成電路中.MOS管亦可作為一儲存電容器,并且是電荷耦合器件的基本組成部分,此節中我們首先考慮其在理想情況下的特性,接著再延伸至有金屬與半導體間的功函數差、界面陷阱與氧化層電荷.等非理想情況下的特性。

                            MOS二極管

                            MOS二極管的透視結構如圖6.1(a)所示,圖6.1(b)為其剖面結構,其中d為氧化層的厚度,而V為施加于金屬平板上的電壓.在本節中,當金屬平板相對于歐姆接觸為正偏樂時,V為正值;而當金屬平板相對于歐姆接觸為負偏壓時,V為負值。

                            圖6.2為V=o時,理想p型半導體MOS二極管的能帶圖.功函數為費米能級與真空能級之間的能量差(即金屬的功函數為qm而半導體的功函數為qs)圖中的qX為電子親和力,即半導體中導帶邊緣與真空能級的差值,而qB為費米能級EF與本征費米能級EFi的能級差.


                            定義為:

                            (1)在零偏壓時'金屬功函數qm與半導體功函數q。的能級差為零,或功函數差qms為零.括號中的三項之和為qs。換言之,在無外加偏壓之下其能帶是平的(稱為平帶狀況).

                            (2)在任意的偏壓之下,二極管中的電荷僅位于半導體之中,且與鄰近氧化層的金屬表面電荷量大小相等,但極性相反,

                            (3)在直流偏壓下,無載流子通過氧化層,亦即氧化層的電阻值為無窮大。


                            聯系方式:鄒先生

                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

                            QQ:2880195519

                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


                            關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

                            長按二維碼識別關注