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                            mos管是什么 三極管和mos管有時什么區別

                            信息來源:本站 日期:2017-06-01 

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                            mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是能夠對調的,他們都是在P型backgate中構成的N型區。在多數狀況下,這個兩個區是一樣的,即便兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被以為是對稱的。三極管,是一種電流控制電流的半導體器件-其作用是把微小信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。晶體三極管,是半導體根本元器件之一,具有電放逐大作用,是電子電路的中心元件。三極管是在一塊半導體基片上制造兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分紅三局部,中間局部是基區,兩側局部是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。



                            工作性質:三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制.

                            功耗問題:三極管損耗大。

                            驅動才能:mos管常用來電源開關,以及大電流中央開關電路。


                            MOS管用于高頻高速電路,大電流場所,以及對基極或漏極控制電流比擬敏感的中央。普通來說低本錢場所,普通應用的先思索用三極管,不行的話思索MOS管實踐上說電流控制慢,電壓控制快這種了解是不對的。要真正了解得理解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才干明白。三極管是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨器為例,當基極加不加電壓時,基區和發射區組成的pn結為阻止多子(基區為空穴,發射區為電子)的擴散運動,在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場(即內建電場),當基極外加正電壓的指向為基區指向發射區,當基極外加電壓產生的電場大于內建電場時,基區的載流子(電子)才有可能從基區流向發射區,此電壓的最小值即pn結的正導游通電壓(工程上普通以為0.7v)。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在,此時假如集電極-發射極加正電壓,在電場作用下,發射區的電子往基區運動(實踐上都是電子的反方向運動),由于基區寬度很小,電子很容易越過基區抵達集電區,并與此處的PN的空穴復合(靠近集電極),為維持均衡,在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動,而空穴則為pn結處運動,此過程相似一個雪崩過程。集電極的電子經過電源回到發射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時,兩個pn結都會感應出電荷,當做開關管處于導通狀態時,三極管處于飽和狀態,假如這時三極管截至,pn結感應的電荷要恢復到均衡狀態,這個過程需求時間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個恢復時間,因而能夠用作高速開關管。


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