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                            LED電源發熱燒壞MOS管五大技術點分析

                            信息來源:本站 日期:2017-06-06 

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                            1、芯片發熱

                            本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假定芯片耗費的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會惹起芯片的發熱。驅動MOS管芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的耗費,簡單的計算公式為I=cvf(思索充電的電阻效益,理論I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必需想方法降低c、v和f.假定c、v和f不能改動,那么請想方法將芯片的功耗分到芯片外的器件,留意不要引入額外的功耗。再簡單一點,就是思索更好的散熱吧。


                            2、功率管發熱

                            關于這個問題,也見到過有人在電源網論壇發過貼。功率管的功耗分紅兩局部,開關損耗和導通損耗。要留意,大多數場所特別是LED市電驅動應用,開關損傷要遠大于導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動才干和工作頻率有關,所以要處置功率管的發熱能夠從以下幾個方面處置:
                            A、不能片面依據導通電阻大小來選擇MOS功率管,由于內阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差異太大了,選擇功率管時,夠用就能夠了。

                            B、剩下的就是頻率和芯片驅動才干了,這里只談頻率的影響。頻率與導通損耗也成正比,所以功率管發熱時,首先要想想是不是頻率選擇的有點高。想方法降低頻率吧!不過要留意,當頻率降低時,為了得到相同的負載才干,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能招致電感進入飽和區域。假定電感飽和電流夠大,能夠思索將CCM(連續電流方式)改動成DCM(非連續電流方式),這樣就需求增加一個負載電容了。


                            3、工作頻率降頻

                            這個也是用戶在調試過程中比擬常見的現象,降頻主要由兩個方面招致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。關于前者,留意不要將負載電壓設置的太高,固然負載電壓高,效率會高點。關于后者,能夠嘗試以下幾個方面:a、將最小電流設置的再小點;b、布線潔凈點,特別是sense這個關鍵途徑;c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感;d、加RC低通濾波吧,這個影響有點不好,C的分歧性不好,傾向有點大,不過關于照明來說應該夠了。無論如何降頻沒有益處,只需害處,所以一定要處置。


                            4、電感或者變壓器的選擇

                            終于談到重點了,我還沒有入門,只能瞎說點飽和的影響了。很多用戶反響,相同的驅動電路,用a消費的電感沒有問題,用b消費的電感電流就變小了。遇到這種狀況,要看看電感電流波形。有的工程師沒有留意到這個現象,直接調理sense電阻或者工作頻率抵達需求的電流,這樣做可能會嚴重影響LED的運用壽命。所以說,在設計前,合理的計算是必需的,假定理論計算的參數和調試參數差的有點遠,要思索能否降頻和變壓器能否飽和。變壓器飽和時,L會變小,招致傳輸delay惹起的峰值電流增量急劇上升,那么LED的峰值電流也跟著增加。在均勻電流不變的前提下,只能看著光衰了。


                            5、LED電流大小
                            大家都曉得LEDripple過大的話,LED壽命會遭到影響,影響有多大,也沒見過哪個專家說過。以前問過LED廠這個數據,他們說30%以內都能夠承受,不過后來沒有經過考證。倡議還是盡量控制小點。假定散熱處置的不好的話,LED一定要降額運用。也希望有專家能給個細致指標,要不然影響LED的推行。

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