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                            怎樣讀懂MOS管的參數,參數詳解

                            信息來源:本站 日期:2017-06-09 

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                            MOS管主要參數如下:
                            1.開啟電壓VT-開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開端構成導電溝道所需的柵極電壓;-規范的N溝道MOS管,VT約為3~6V;-經過工藝上的改良,能夠使MOS管的VT值降到2~3V。


                            2. 直流輸入電阻RGS-即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比-這一特性有時以流過柵極的柵流表示-MOS管的RGS能夠很容易地超越1010Ω。

                            3. 柵源擊穿電壓BVGS-在增加柵源電壓過程中,使柵極電流IG由零開端劇增時的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS。


                            4. 漏源擊穿電壓BVDS-在VGS=0(加強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開端劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS-ID劇增的緣由有下列兩個方面:
                            (1)漏極左近耗盡層的雪崩擊穿

                            (2)漏源極間的穿通擊穿-有些MOS管中,其溝道長度較短,不時增加VDS會使漏區的耗盡層不斷擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通后,源區中的多數載流子,將直承受耗盡層電場的吸收,抵達漏區,產生大的ID


                            5. 低頻跨導gm-在VDS為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變量和惹起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導-gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制才能-是表征MOS管放大才能的一個重要參數-普通在非常之幾至幾mA/V的范圍內


                            6. 極間電容-三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS-CGS和CGD約為1~3pF-CDS約在0.1~1pF之間

                            7. 導通電阻RON-導通電阻RON闡明了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數-在飽和區,ID簡直不隨VDS改動,RON的數值很大,普通在幾十千歐到幾百千歐之間-由于在數字電路中 ,MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下,所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似-對普通的MOS管而言,RON的數值在幾百歐以內


                            8. 低頻噪聲系數NF-噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所惹起的-由于它的存在,就使一個放大器即使在沒有信號輸人時,在輸出端也呈現不規則的電壓或電流變化-噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示,它的單位為分貝(dB)-這個數值越小,代表管子所產生的噪聲越小-低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數-場效應管的噪聲系數約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小.

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