廣東可易亞半導體科技有限公司

                            國家高新企業

                            cn en

                            新聞中心

                            絕緣柵雙極型晶體管的原理,分類,優勢與缺點

                            信息來源:本站 日期:2017-07-10 

                            分享到:

                            IGBT

                            近年來,隨著雙極型晶體管模塊和MOSFET的出現,節能、設備小型化、輕量化等要求的提高,電動機可變驅動裝置和電子計算機的備用電源裝置等使用交換原件的各種電力變換器也迅速發展起來。但是電力變換器方面的需求,并沒有通過雙極型晶體管模塊和MOSFET得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而MOSFET雖然交換速度夠快了,但是存在著不能得到高耐壓、大容量等的缺陷。

                            絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)正是順應這種要求而開發的,它是一種既有MOSFET的高速切換,又有雙極型晶體管的高耐壓、大電流處理能力的新型元件。


                            IGBT的基本知識

                            1.定義

                            IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是由B.IT(雙極結型晶體管)和MOSFET(金屬—氧化物—半導體場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,它兼有MOSFET的高輸人阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR(電力晶體管,是一種雙極型大功率、高反壓晶體管,其功率非常大,因此又被稱為巨型晶體管,簡稱CTR)的飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET的驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,即驅動功率小而飽和壓降低。


                            2.IBGT的分類

                            按有無緩沖區分類

                            (1)非對稱型ICBT:有緩沖區N+,為穿通型IGBT;由于N+區存在,所以反向阻斷能力弱,但正向壓降低,關斷時間短,關斷時的尾部電流小。

                            (2)對稱型IGBT:無緩沖區N+,為非穿通型IGBT;具有正、反向阻斷能力,其他特性較非對稱型IGBT差。

                            按溝道類型分類

                            IBGT按溝道類型分為N溝道IGBT和P溝道IGBT。


                            3.主要性能指標

                            1)通態電壓Uon

                            所謂通態電壓Uon,是指ⅡGBT進入導通狀態的管壓降Uon,這個電壓隨UGS上升而下降。

                            2)開關損耗

                            IGBT的開關損耗包括關斷損耗和開通損耗。常溫下,IGBT的關斷損耗和MOSFET差不多。其開通損耗平均比MOSFET略小,且它與溫度關系不大,但每增加100℃,其值增加2倍。兩種器件的開關損耗和電流相關,電流越大,損耗越大。

                            3)安全工作區的主要參數(PCM、IcM、UCEM、UGES)

                            (1)最大集電極功耗PCM:取決于允許結溫。

                            (2)最大集電極電流lCM:受元件擎住效應限制。

                            (3)最大集電極-發射極電壓UCEM:由內部PNP型晶體管的擊穿電壓確定。

                            (4)柵極-發射極額定電壓UCES:柵極控制信號的電壓額定值。


                            4.主要優缺點

                            與MOSFET和BJT相比,IGBT的主要優勢體現在:

                            (])它有一個非常低的通態壓降,且由于它具有優異的電導調制能力和較大的通態電流密度,使得更小的芯片尺寸和更低的功耗成為可能;

                            (2) MOS柵結構使得IGBT有較低的驅動電壓,且只需要簡單的外圍驅動電路;與BJT和晶閘管相比較,它能更容易地使用在高電壓大電流的電路中;

                            (3)它有比較寬的安全操作區,且它具有比雙極型晶體管更優良的電流傳導能力,也有良好的正向和反向阻斷能力。

                            IGBT的主要缺點是:

                            (1)關閉速度優于BJT但不如MOSFET由于少數載流子,產生的集電極電流拖尾,導致其關閉速度很慢;

                            (2)由于采用PNPN結構,所以很容易產生閂鎖效應。

                            IGBT適用于較大的阻斷電壓。在為了提高擊穿電壓而讓漂移區的電阻率和厚度增加時,MOSFET的通態電阻將會顯著增大。正因為如此,火電流、高阻斷電壓的功率MOSFET通常是很難發展的。相反,對于IGBT來說,其漂移區的電阻由于高濃度的少數載流子的注入而急劇下降,這樣IGBT的漂移區的正向壓降變得和IGBT本身的厚度相關,但和原有的電阻率無關。


                            聯系方式:鄒先生

                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

                            QQ:2880195519

                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


                            關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

                            長按二維碼識別關注