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                            常用的IGBT單體緩沖吸收電路分享-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2021-10-15 

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                            常用的IGBT單體緩沖吸收電路分享-KIA MOS管


                            IGBT單體緩沖吸收電路

                            RS單體吸收電路

                            ( 1 )抑制關斷浪涌電壓效果好。


                            ( 2 )最適用于斬波器。


                            ( 3 ) IGBT容量較大時, R1 , R2阻值選取小,開通時增加了IGBT集電極的容性開通電流,損耗增加,IGBT的功能受到限制。

                            IGBT 吸收電路


                            充電RCD單體吸收電路

                            ( 1 )可抑制關斷浪涌電壓。


                            ( 2 )充放電型RCD緩沖電路由于增加了二極管VDS ,可使R3、 R4增大,避免了IGBT功能受限制。


                            ( 3 )緩沖電路的損耗相當大。


                            ( 4 )因損耗大而不適用于高頻開關用途。

                            IGBT 吸收電路


                            放電阻止型單體吸收電路

                            ( 1 )具有較好抑制關斷浪涌電壓效果。


                            ( 2 )緩沖電路產生的損耗小。


                            ( 3 )最適合于高頻開關用途。

                            IGBT 吸收電路


                            C整體吸收電路

                            ( 1 )線路最簡單。


                            ( 2 )利用C7旁路浪涌尖峰電壓。


                            ( 3 ) C7取值不當,易與主回路電感L S構成諧振而產生振蕩。


                            ( 4 ) C7的取值根據能量守恒原理可求取。

                            IGBT 吸收電路


                            RCD整體吸收電路

                            ( 1 )線路相當簡單。


                            ( 2 )適用于各種逆變器。


                            ( 3 ) VDS要示正向恢復電壓VFM小,反向恢復時間短,軟恢復的二_極管,以降低Vcep值。 關斷損耗,避免引起振蕩。

                            IGBT 吸收電路




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