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                            IGBT尖峰電壓吸收電路圖文詳解-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2021-10-15 

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                            IGBT尖峰電壓吸收電路圖文詳解-KIA MOS管


                            IGBT尖峰電壓吸收電路

                            關斷IGBT時由于電感中儲存有能量,集電極-發射極間會發生浪涌電壓。緩沖電路可以抑制施加在IGBT上的過電壓和關斷損耗的增加。這是由于緩沖電容器可以分擔關斷時的一部分能量。務必妥當處理電容器所吸收的能量。


                            RCD 緩沖電路:

                            IGBT 吸收電路


                            關斷開關時儲存的能量 : 1/2?LiC2

                            e+= L?diC/dt


                            IGBT 吸收電路


                            如果Cs能夠完全吸收L的能量

                            1/2?LiC2=1/2?Cs?Δe2

                            即成立,因此

                            Δe= i0×√L/Cs


                            IGBT 吸收電路


                            RCD緩沖電路的損耗:

                            IGBT 吸收電路


                            把緩沖電路安裝在每個IGBT上比安裝在直流母線和地線之間更有效。


                            但是,存在Rs上損耗較大的問題。Rs上的損耗是LiC2與開關頻率的乘積,L為0.2μH、iC為100A、開關頻率為10kHz時損耗為20W。


                            此時,在3相橋路電路中,僅緩沖電路的損耗就有120W??梢酝ㄟ^控降低頻率或向電源再生能量來減少損耗。


                            為了降低Δe,首先減小L(主電路的分布電感)尤為重要。Cs隨電感變小而變小。


                            Vs是(配線電感)×-dic/dt、Ds的正向恢復電壓以及(Cs的分布電感)×-dic/dt的總和。


                            下述要點可以使緩沖電路更有效。

                            以更低的-dic/dt為驅動條件驅動IGBT。(降低IGBT的關斷速度)


                            減小主電路配線的電感。為此設法將電源(電解)電容器放在盡可能靠近IGBT模塊的位置,使用銅板配線,實施分層布置等。


                            緩沖電路也應放在模塊的附近,Cs應采用薄膜電容器等頻率特性好的元件。


                            Ds使用正向導通壓降小,反向軟恢復型超快速二極管。




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