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                            【功率金屬氧化物半導體場效應晶體管】MOSFET領域是什么?

                            信息來源:本站 日期:2017-07-13 

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                            Power MOSFET全稱為功率金屬-氧化物-半導體場效應晶體管。其電氣符號及根本接法如圖3-25所示。


                            PowerMOSFET有三個極,即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)??刂菩盘枴癎S加于柵極和源極之間,改動UGS的大小,便可改動漏極電流ID的大小。由于柵—源極之間的阻抗十分大,因而控制電流能夠極小,簡直為0,所以驅動功率很小。


                            器件內寄生有反向二極管,它在變頻器電路中起續流維護作用。

                            ①最大漏極電流IDM  是允許連續運轉的最大漏極電流。

                            ②擊穿電壓uDs  是指漏極與源極之間的擊穿電壓,也就是指管子在截止狀態下,漏極與源極之間的最大維持電壓。

                            ③閾值電壓UGS  是可以使MOSFET管子導通的最低柵極電壓。該電壓為2- 6V。實踐運用時,柵極驅動電壓應為(1.5-2.5)Ucs,即15v左右。

                            ④導通電阻RON是MOSFET管子導通時,漏極與源極之間的電阻值。RON決議了管子的通態損耗。導通電阻RCN有正溫度系數,即電流越大,RON的值也因附加發熱而自行增大。因而它對電流的增加有抑止作用。這在器件并聯應用時有自動平衡電流的效果。

                            ⑤開關頻率  MOSFET的開關速度和工作頻率要比GTR高1-2個數量級。普通MOSFET的開關時間為幾微秒至幾十微秒,最高頻率可達50kHz以上。

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