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                            場效應管主要參數是什么?電子元器件主要參數是什么?

                            信息來源:本站 日期:2017-07-21 

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                            場效應管的主要參數

                            1.開啟電壓UT (MOSFET)

                            通常將剛剛形成導電溝道、出現漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓,用UGS(th)或UT表示。

                            開啟電壓UT是MOS增強型管的參數。當柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時,場效應管不能導通。

                            2.夾斷電壓UP (JFET)

                            當UDS為某一固定值(如10V),使ID等于某一微小電流(如50mA)時,柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當UGS=UP時,漏極電流為零。

                            3.飽和漏極電流IDSS (JFET)

                            飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下,場效應管發生預夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應管所能輸出的最大電流。

                            4.直流輸入電阻RGS

                            直流輸入電阻RGS是漏一源短路,柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。

                            結型場效應管:RGS》107ΩMOS管:RGS>109~1015Ω。

                            5.跨導Gm

                            漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比,即gm=△ID/△UGS。它是衡量場效應管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數。gm相當于三極管的hFE。

                            6.最大漏極功耗

                            最大漏極功耗PD=UDSID,相當于三極管的PCM。


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