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                            MOS構造優點是什么,特點有什么優勢?工作原理是什么?

                            信息來源:本站 日期:2017-07-25 

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                            場效應管TMOS,VMOS

                            MOSFET構造,從縱剖面來看,柵極(柵區)、源極(源區)、漏極(漏區)大致排列在同不斷線上,這樣的構造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構造。同時,柵極,精確一點說是“柵區”與漏區、源區的分界面大致也是平面狀的,這種柵極構造稱為平面柵極(Planar Gate)構造。


                            上述構造的優點是結電容小,比擬合適于高頻小功率應用,缺乏之處是源極與漏極相距比擬遠,導電溝道的寬度有限,不太合適于功率應用?!鞍疾?。形的“槽柵”(Trench Gate)構造可以增加柵區與源區和漏區的接觸面積,增加對電流的控制才能。垂直溝道構造是將源極與漏極配置在柵極的-側,漏極與源極則是相向排列,這樣的溝道構造縮短了溝道長度,合適于大電流應用。


                            功率MOS場效應管大都采用“垂直”溝道和“槽柵”構造,合起來簡稱“溝槽柵”結構。電子顯微鏡下的照片以顯現兩種溝道和柵極構造的主要區別(圖1.14)。



                            TMOS (TrenchMOS)的稱號固然指的是槽柵構造的MOSFET,但由于槽柵與垂直溝道常常是同時應用的,因而它也同時指垂直溝道構造,即“溝槽柵。構造的功率MOSFET。

                            最先應用的槽柵構造的剖面外形與英文字母“v”很類似(圖1. 15),VMOS的最初稱號就是由此而來,它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的縮寫,曾經簡稱為“VVMOS”,至今依然可以在一些公開的材料中見到。這種依據柵極(柵區)的剖面外形停止的技術命名辦法也被沿用了下來,以后陸續呈現了UMOS、πMOS等


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