廣東可易亞半導體科技有限公司

                            國家高新企業

                            cn en

                            新聞中心

                            mos管芯片-常用mos管芯片的應用封裝結構分析-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2017-07-31 

                            分享到:

                            HEXMOS與管芯構造 , 為了增加水龍頭的流量,水龍頭能夠將口徑做得很大,這時分的水龍頭一般稱為“閥門”,當然也能夠用多個小口徑的水龍頭來替代,只是工程上很少這樣用。


                            功率晶體管恰恰采用的是第二種辦法,用無數個“小晶體管”構成更大功率的晶體管,假如是分立元件,這種辦法—般稱為“并聯”,關于單個晶體管,這種辦法稱為“多(單)元集成”。


                            HEXMOS就是門前最主流的一種MOSFET“管芯單元”的規劃方式(圖1. 20),專利是美國IR公司的。由于“管芯單元”的規劃外形呈”Hcxagonal(六邊形)而得名。

                            圖1. 20所示的是N溝道的HEXFET的構造表示圖,圖中也畫出了電流的方向。由于MOSFET只能耐受比擬高的正向電壓,多數MOSFET曾經內置了維護二極管,這就是體二極管。關于體二極管,在后續章節中還會有細致引見。
                            需求闡明的是,這是一個3D構造,漏極和漏區在垂直方向。每一個六邊形單元并不是一個“管芯單元”,而是多個“管芯單元”的排列組合。這一點從電子顯微鏡照片上能夠更為分明地看到(圖1. 21)。




                            每一個并聯的“小晶體管”稱為“Cell”或者“Chip Cell",普通中文材料都將其譯為“元胞”,本書則將它們稱為“管芯單元”,由于它們就是一個個完好的微型品體管。無論是小功率還是大功率晶體管,都包含不止一個這樣的“管芯單元”,只是數量不同而已。


                            最后封裝在一同的“管芯唯元”的匯合,就是“管芯”?!肮苄締卧痹凇肮苄尽鄙系呐帕修k法與多個分立元件的晶體管并聯排列辦法有很大的不同,但是目的是相同的:優化電路規劃,減少占板面積。關于“管芯”而言,是在盡量小的硅片上包容盡量多的“管芯單元”。


                            雖然HEXFET是目前較為主流的規劃構造,為很多第"方制造商所采用,但也不是獨一的規劃


                            關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

                            長按二維碼識別關注