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                            mos管電壓規格是什么,什么是VMOS管柵極

                            信息來源:本站 日期:2017-07-31 

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                            電壓規格:VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS

                            VDSS中的“V”表示電壓,前面的“D”、“S”表示“Drain”(漏極)與“Source”(源極),最后一個“s”表示“Short”(短路)。VDSS的具體含義是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”,中文含義是“柵極與源極短接時,漏極與源極問能夠承受的最大電壓”。有時候也稱為“零柵壓最大漏源電壓”。


                            —-直稱之為“電壓規格”,之后我們還將這樣稱呼它,既簡單又明了,同時還給它另一個稱呼:耐壓,這符合行業習慣。因為超過電壓規格,VMOS就可能被擊穿損壞,因此電壓規格有時候也稱為“零柵壓擊穿電壓”。


                            BVDSS(漏源擊穿電壓)的含義雖然與VDSS略有差異,但是在數值上一般是相同的。一般技術手冊中給出的VDSS為額定值,BVDSS給出的是最小值,所謂數值相同,是VDSS的額定值與BVDSS的最小值相同。由此可以看出來,VDSSV是側重于測量的一個參數,BVDSS是側重于電路應用的參數。

                            VDSS、VDS的含義相同,BVDSS、V(BR)DSS的含義相同,只是不同制造商的應用習慣有所不同。但是VDS也常常用來表示源極與漏極之間的實際電壓而不是極限的擊穿電壓,因此為了避免歧義,采用的是VDSS。


                            很顯然,VDSS表示的是VMOS在關斷條件下承受正向電壓的能力。在關斷條件下,VMOS的柵極—源極間的偏置不外乎四種情況(圖3.1)。


                            反向偏置指的是讓VMOS關斷程度加深的偏置電壓,對于N溝道VMOS,顯然是柵極電壓低于源極電壓的情況;P溝道則相反。這種方式在高頻條件下比零柵壓更為可靠,在實際的高頻電路中,尤其是希望VMOS迅速關斷的電路中,這種負柵壓的偏置方法會經常出現。


                            旁路( Shunt)方法是希望VMOS的關斷不要像反向偏置那么快,在常態下,與零柵壓是相當的,未開封的新模塊上常常會配置旁路電阻,以保護模塊不會被靜電擊穿。在有些高速電路中,為了減小電路中的電流變化速度,也會采用旁路柵極的方法。旁路的另一個作用是,使VMOS的輸入電阻不至于過高,有了旁路電阻,VMOS的輸人電阻就大致等于旁路電阻的阻值。


                            對于VMOS而言,柵極懸空無論是何種條件下都是應該盡量避免的,稍有不慎,就會導致VMOS擊穿損壞。這時候的擊穿一般是柵極與源極擊穿,而不管源極、漏極間的電壓是高還是低。 除了槽柵結構的VMOS,零柵壓、反相偏置、旁路情況下測得的擊穿電壓是大致相等的;對于槽柵結構的VMOS,零柵壓情況下測得的擊穿電壓最高。因此,VDSS表示的是VMOS在關斷條件下承受正向電壓的最高能力。


                            圖3.1中的可調電流源”指的是限流電路,保證回路電流不超過某一設定值,“可調電壓源”就比較容易理解了。這兩種電源符號在測試晶體管的電路中會經常出現。


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