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                            槽柵MOS器件優勢是什么包括理論及實驗動研究

                            信息來源:本站 日期:2017-08-01 

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                            槽柵構造有利于進步電流控制才能,但是結電容大,不利于工作頻率的提高。將平而柵極構造與雙擴散有機分離起來,就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET,橫向雙擴散MOSFET)(圖1.18)。

                            LDMOS的主要優勢是結電容小、工作頻率高,合適于微波應用。

                            微波功率放大器的封裝與常見的封裝不同(圖l.19),這是和微波功率放大相順應的。微波功率放大應用大都是漏極輸出、源極接地的電路(共源極電路),出于電路規劃的思索,TAB(本體散熱片)也需求和散熱器直接相連。LD-MOS的襯底(背電極)是源極而不是漏極,剛好能夠滿足這一需求,源極襯底可以直接和TAB相連(圖1.19),熱阻減小,有利于進步功率耗散能才能。而垂直溝道的DMOS,襯底(背電極)是漏極,用于微波的垂直溝道MOS功率器件,通常是在TAB與襯底之間設置Be0(氧化鍍)隔離層,既增加了熱阻,又進步了封裝本錢。


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