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                            mos管模型及三個小信號參數

                            信息來源:本站 日期:2017-08-18 

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                            小信號等效電路


                              模仿電路解析包括直流解析和交流小信號解析。這里導入小信號解析時所需要的小信號等效電路。小信號等效電路模型是使計算簡單化的線性模型。


                            三個小信號參數gm、gmb、go


                              如前所述,模仿電路是在MOS晶體管器件的飽和區停止工作的。飽和區中,MOS晶體管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2,ID與Gs之間不是線性關系。但是,如圖2.1所示,在微小電壓νgs與微小電流id之間能夠看作線性關系近似認為id∝ νgs。

                            mos管

                              圖2.2示出MOS晶體管的低頻小信號等效電路。這里運用的小信號參數gm、gmb、go定義如下(單位都是西[門子],S)。

                              (1)跨導(transconductance) gm:

                            mos管

                            (2)體跨導(bulk  transconductance)gmb:

                            mos管

                            mos管

                            (3)漏極電導(grain conductance)go:
                            mos管

                              跨導gm表示圖2.1中示出的微小區域中直線的斜率。漏極電導go表示圖2.3中示出的ID-VDS特性的斜率,go=1/ro(ro是輸出電阻)。

                            mos管