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                            小信號參數MOS晶體管的工作區域是否會有什么變化,小信號參數是什么

                            信息來源:本站 日期:2017-08-22 

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                            在強反型狀態下飽和區中的工作

                            小信號參數的值因MOS晶體管的工作區域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強反型狀態,而且工作在飽和區,求這種狀況下的小信號參數。
                            應用第1章的式(1.18),可將跨導gm表示如下:

                            在能夠疏忽溝道長度調制效應的狀況下,得到

                            這個跨導gm能夠用漏極電流ID表示為

                            也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為

                            體跨導gmb能夠由下式求得:

                            由式(1.18)和式(1.20),能夠分別導出

                            所以得到

                            應用式(1.18),能夠將漏極電導表示為

                            應用這些小信號參數,能夠將小信號漏極電流id表示為下式:

                            CMOS模仿電路中主要運用的下作區域是強反型的飽和區。表2.1列出這個工作區域中的小信號參數。
                            mos管


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