廣東可易亞半導體科技有限公司

                            國家高新企業

                            cn en

                            新聞中心

                            CMOS噪聲余量是由輸出振幅的最小值與輸入信號最小必要的振幅之差來做定義

                            信息來源:本站 日期:2017-08-29 

                            分享到:

                            噪聲余量

                            大數IC的噪聲余量由輸出振幅的最小值與輸入信號最小必要的振幅之差來定義。這個差值越大,關于由電源/GND線或由信號線產生的突發噪聲來說,越不容易惹起誤動作。

                            作為規范邏輯IC,與目前運用較多的雙極型TTL相比擬,CMOS具有更寬的噪聲余量。圖10.13示出CMOS反相器與TTL的輸入-輸出傳輸特性。CMOS特性的降落肩特性峻峭,電路閾值電壓大致位于VDD的1/2處。輸出振幅能夠在整個VDD~GND的范圍擺動。由于CMOS可以在整個VDD~GND范圍取輸出,就可以以小的輸入振幅工作。能夠看出,與TTL相比,CMOS的噪聲余量優勢很大。
                            mos管
                            圖10. 14示出CMOS與TTL的噪聲余量的比擬。由于CMOS的抗噪聲才能強,所以在高質量信號傳輸、高牢靠性系統等范疇應用很普遍。

                            mos管


                            聯系方式:鄒先生

                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

                            QQ:2880195519

                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


                            關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”

                            長按二維碼識別關注