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                            cmos保護電路中有什么特征以及它的優勢是在哪個方面

                            信息來源:本站 日期:2017-09-07 

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                            CMOS的維護電路

                            輸入維護電路

                            當器件加有過大的電壓或電流時,器件會遭到損傷而導致性能劣化,嚴重時會被擊穿。這時芯片上的布線或器件的分離局部將會被毀壞,或者與上下/左右相鄰的布線或器件短路,以至于信號線開路或短路。

                            CMOS器件的輸入連接在n溝晶體管或者p溝晶體管的柵極上。圖10. 29示出MOS晶體管的剖面,柵區有一層十分薄的絕緣氧化膜(Si02)。Si02膜具有109V/m(103 V/μm)的絕緣強度。不過由于CMOS器件的柵氧化膜厚度在0.1μm以下,十分薄,一切幾十伏至幾百伏的電壓就會惹起絕緣擊穿。

                            人身體產生的靜電會高達幾千伏至幾萬伏,冬天用手觸摸CMOS器件時,很容易損壞器件。為了免受靜電對柵氧化膜形成損傷,在CMOS器件的輸入局部都配置有維護電路。

                            圖10. 30示出典型的輸入維護電路。在原來的等效電路中的輸入信號線上附加二極管,起到維護電路的作用。當輸入端由于靜電等緣由加有過大的電壓/電流時,它能夠使正電荷沿電源線,負電荷沿GND線逃逸。

                            mos管

                            圖10. 30(a)的維護電路設置有擴散電阻,關于二極管短時間內吸收不了的能量,它起到延遲電路的作用,延緩這些能量向柵極傳送。它的弊端是在高速CMOSIC中會招致信號傳輸時間的滯后。

                            圖10. 30(b)的維護電路運用了等效構成二極管的MOS晶體管。用這個電路,能夠使MOS晶體管ON時電荷經過溝道逃逸。依照普通的二極管方式,作為維護電路有良好的響應性,不過從芯片面積以及幅員設計角度看,有不利影響。

                            輸出的維護


                            圖10. 31示比CMOS IC的輸出局部。輸出n溝晶體管/p溝晶體管的漏極相互銜接構成輸出端。在漏極局部各自構成寄生的pn二極管/np二極管。由于這些二極管,能夠維護輸出局部的過大電壓。另外,在某些情況下也能使輸出晶體管內身瞬態ON,免受異常電荷的損害。
                            mos管

                            電源/GND浮動時的維護

                            當CMOS器件沒有裝置在印制電路板上,而是處于單個焊接狀態時,假如呈現異常的外加電壓,該如何處置呢?VDD或GND會有浮動的狀況,怎樣維護呢?圖10.32示出CMOS器件的最小電路構造反相器電路以及輸入維護電路的例子。
                            mos管

                            CMOS IC由于插入輸入維護電路,一切的端子都用二極管與電源VDD或者GND銜接。當輸入端與VDD GND之間有異常電壓時,如圖10. 33所示,必然形成正向或者反向流入二極管的電流通道,維護內部電路。這就是說,假如二極管的反向耐壓比MOS晶體管的柵氧化膜的絕緣擊穿電壓低,那么關于裝置前的異常電壓就具有維護電路的作用。
                            mos管


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