廣東可易亞半導體科技有限公司

                            國家高新企業

                            cn en

                            新聞中心

                            MOS管導通電壓-MOS管導通性的特性、條件及過程介紹-KIA MOS管

                            信息來源:本站 日期:2018-07-02 

                            分享到:

                            MOS管導通電壓

                            MOS管導通特性

                            金屬-氧化層半導體場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為“N型”與“P型”的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS?FET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。

                            導通的意思是作為開關,相當于開關閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導通,適合用于源極接地時的情況(低端驅動),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導通,使用與源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用NMOS。

                            MOS管導通電壓

                            MOS管導通條件

                            場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制,對于增強型場效應管來說,N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。一般2V~4V就可以了。但是,場效應管分為增強型(常開型)和耗盡型(常閉型),增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來就處于導通狀態,加柵源電壓是為了使其截止。開關只有兩種狀態通和斷,三極管和場效應管工作有三種狀態,1、截止,2、線性放大,3、飽和(基極電流繼續增加而集電極電流不再增加)。使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路,一般以晶體管截止,集電極不吸收電流表示關;以晶體管飽和,發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。開關電路用于數字電路時,輸出電位接近0V時表示0,輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字集成電路內部的晶體管都工作在開關狀態。 場效應管按溝道分可分為N溝道和P溝道管(在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣)。

                            按材料分可分為結型管和絕緣柵型管,絕緣柵型又分為耗盡型和增強型,一般主板上大多是絕緣柵型管簡稱MOS管,并且大多采用增強型的N溝道,其次是增強型的P溝道,結型管和耗盡型管幾乎不用。場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電,被稱之為雙極型器件.有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。

                            MOS管導通電壓

                            MOS管導通過程

                            導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段,這四個時間段有不同的等效電路。

                            1.   t0-t1:C GS1 開始充電,柵極電壓還沒有到達V GS(th),導電溝道沒有形成,MOSFET仍處于關閉狀態。

                            2.   [t1-t2]區間, GS間電壓到達Vgs(th),DS間導電溝道開始形成,MOSFET開啟,DS電流增加到ID, Cgs2 迅速充電,Vgs由Vgs(th)指數增長到Va。

                            3.  [t2-t3]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應,Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過,由于C gd 電容急劇增大,抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態,Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。

                            4.  [t3-t4]區間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小,Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小,MOSFET完全開啟。

                            MOS管導通電壓




                            聯系方式:鄒先生

                            聯系電話:0755-83888366-8022

                            手機:18123972950

                            QQ:2880195519

                            聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


                            請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

                            請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助

                            MOS管導通電壓